本文摘要：昨日，总投资300亿人民币的紫光南京半导体产业基地和总投资300亿人民币的子港国际城项目月动工。

昨日，总投资300亿人民币的紫光南京半导体产业基地和总投资300亿人民币的子港国际城项目月动工。这是紫光集团时隔长江存储项目之后的另一个大“动作”。据报导，紫光南京半导体产业基地项目由紫光集团投资建设，主要产品为3D－NANDFlash、DRAM存储芯片，占地面积为1500亩。其中项目一期投资大约100亿美元，月产芯片10万片。

但外媒对这一动作深感困惑。因为从他们早前的分析显然，就算是武汉新的芯项目，或许也没充足的技术来反对存储芯片生产。

紫光这次想要通过南京的项目来主导全球存储产业，或许并无法一蹴而就，当中还必须有很多的障碍必须横跨。首当其冲的就是有经验的存储芯片工程师的缺少和美国CFIUS因所谓的安全性问题将中国拒之门外。而根据新浪科技早期的报导，赵伟国在月前的一个庆典上说道到：“在刚过去的2016年，我们在武汉打造出了一个存储基地。

转入2017，我们将不会在南京和成都再行建设两个半导体生产基地。这三个项目的总投资总额将多达700亿美金，清华紫光在未来将主导芯片制造业”。

分析师指出，紫光集团的这个投资速度是十分难以置信，但他们也认为，建设一个晶圆厂是一个非常简单的事情，而必须面对的则是运营问题，特别是在是在生产更加简单的3DNANDFlash上，紫光集团面临的艰难也是空前的。对半导体有深入研究，并写出过基本关于日本半导体发展的书的作者TakashiYunogami曾多次对武汉新的芯的3DNANDFlash项目有些许猜测。但最近他转变了观点，他告诉他我们，从材料和设备供应商与中国的合作中他能显现出，也许不会有新的转机。

那么到底中国建设存储项目必须面临那些方面的问题呢？我们来一一分析。工程师紧缺Yunogami回应，中国正在全球引发一场对有天赋工程师和生产NANDFlash设备的争端战。而某种程度的事情也在中国本土再次发生，有所不同的省市也在引发了Fab工厂合作的竞争。

在分析中国存储生产技术涉及方面之前，我们再行看一下中国有哪些正在兴起的存储供应商。在ICInsights副总裁BrianMatas早期的报告中我们看见，现在中国存储领域有三个主要的竞争者，分别是：（1）2016年7月，紫光集团并购了武汉新的芯，并创建了一个叫长江存储的合资公司。

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